Growth of GaInAsSb Alloys by MOCVD and Characterization of GaInAsSb∕GaSb p-n Photodiodes

Journal article

Peer reviewed

G. Bougnot, F. Delannoy, A. Foucaran, F. Pascal, F. Roumanille, P. Grosse and J. Bougnot

Journal of The Electrochemical Society, Vol.135(7)

1988

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Title: Growth of GaInAsSb Alloys by MOCVD and Characterization of GaInAsSb∕GaSb p-n Photodiodes
Creators - without role: G. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Delannoy - Institut d'Électronique et des Systèmes
A. Foucaran - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Pascal - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Roumanille - Centre National de la Recherche Scientifique
P. Grosse - Institut d'Électronique et des Systèmes
J. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
Publication Details: Journal of The Electrochemical Society, Vol.135(7)
Identifiers: 9946399709311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01787490