Growth of Ga1-xA1xSb and Ga1-xInxSb by organometallic chemical vapor deposition

Journal article

Peer reviewed

G. Bougnot, A. Foucaran, M. Marjan, D. Etienne, J. Bougnot, F. Delannoy and F. Roumanille

Journal of Crystal Growth

1986

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Title: Growth of Ga1-xA1xSb and Ga1-xInxSb by organometallic chemical vapor deposition
Creators - without role: G. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
A. Foucaran - Institut d'Électronique et des Systèmes
M. Marjan - Centre National de la Recherche Scientifique
D. Etienne - Institut d'Électronique et des Systèmes
J. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Delannoy - Institut d'Électronique et des Systèmes
F. Roumanille - Centre National de la Recherche Scientifique
Publication Details: Journal of Crystal Growth
Identifiers: 9946284809311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01787434