Gas mixture influence on the reactive ion etching of InSb in an inductively coupled methane-hydrogen plasma

Journal article

Peer reviewed

J. Abautret, A. Evirgen, J.-P. Perez, Y. Laaroussi, A. Cordat, F. Boulard and Philippe Christol

Semiconductor Science and Technology, Vol.30(6)

01/06/2015

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Title: Gas mixture influence on the reactive ion etching of InSb in an inductively coupled methane-hydrogen plasma
Creators - without role: J. Abautret - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Evirgen - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
J.-P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Y. Laaroussi - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
A. Cordat
F. Boulard - Institut des Matériaux Jean Rouxel
Philippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Publication Details: Semiconductor Science and Technology, Vol.30(6)
Identifiers: 9942372609311
Academic Unit: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01626341