Abstract
On étudie principalement par la méthode Kelvin mais aussi par spectrométrie Auger les surfaces (100) chimiques et (110) clivées de InP, l'interaction de cette dernière avec un métal réactif (Al) ou non réactif (Au, Ag). On compare ensuite les résultats fournis par l'étude des surfaces aux hauteurs de barrières mesurées dans les diodes réalisées sur les deux types de surface. On montre que InP se caractérise par un ancrage du niveau de Fermi situé dans la moitié supérieure de la bande interdite. Cet ancrage se produit : dans le cas des surfaces libres (100) ou (110) avec défauts de clivage, après dépôt d'une fraction de monocouche de métal, dans les diodes. On propose comme explication la présence d'états donneurs et accepteurs associés à des défauts du semiconducteur dont les densités relatives seraient liées aux détails de la formation de l'interface.