- Title
- Fabrication and Characterization of GaSb-Based Monolithic Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes Emitting Around 2.3 μm and Including a Tunnel Junction
- Creators - without role
- Arnaud Ducanchez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESLaurent Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAlban Gassenq - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPierre Grech - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Genty - CentraleSupélec
- Publication Details
- IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol.14(4), pp.1014 - 1021
- Identifiers
- 9942225109311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01616283
Journal article
Fabrication and Characterization of GaSb-Based Monolithic Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes Emitting Around 2.3 μm and Including a Tunnel Junction
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, Vol.14(4), pp.1014 - 1021
07/2008
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