Evaluation of Recent Technologies of Nonvolatile RAM

Thierry Nuns; Sophie Duzellier; Jean Bertrand; Guillaume Hubert; Vincent Pouget; Frederic Darracq; Jean-Pierre David; Sabine Soonckindt

doi:10.1109/TNS.2008.920255

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Evaluation of Recent Technologies of Nonvolatile RAM

Article de revue

Avec comité de lecture

Evaluation of Recent Technologies of Nonvolatile RAM

Thierry Nuns, Sophie Duzellier, Jean Bertrand, Guillaume Hubert, Vincent Pouget, Frederic Darracq, Jean-Pierre David et Sabine Soonckindt

IEEE transactions on nuclear science, Vol.55(4), pp.1982-1991

01/08/2008

DOI: https://doi.org/10.1109/TNS.2008.920255

Résumé

Engineering

Engineering, Electrical & Electronic

Nuclear Science & Technology

Science & Technology

Technology

Two types of recent nonvolatile random access memories (NVRAM) were evaluated for radiation effects: total dose and single event upset and latch-up under heavy ions and protons. Complementary irradiation with a laser

Indicateurs

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Détails

Titre: Evaluation of Recent Technologies of Nonvolatile RAM
Créateurs - sans rôle: Thierry Nuns - Off Natl Etud & Rech Aerosp, Dept Environm Spatial DESP, F-31055 Toulouse, France
Sophie Duzellier - Off Natl Etud & Rech Aerosp, Dept Environm Spatial DESP, F-31055 Toulouse, France
Jean Bertrand - Ctr Natl Etud Spatiales, F-31401 Toulouse, France
Guillaume Hubert - Off Natl Etud & Rech Aerosp, Dept Environm Spatial DESP, F-31055 Toulouse, France
Vincent Pouget - Université Bordeaux-I
Frederic Darracq - Université Bordeaux-I
Jean-Pierre David - Off Natl Etud & Rech Aerosp, Dept Environm Spatial DESP, F-31055 Toulouse, France
Sabine Soonckindt - Off Natl Etud & Rech Aerosp, Dept Environm Spatial DESP, F-31055 Toulouse, France
Détails de publication: IEEE transactions on nuclear science, Vol.55(4), pp.1982-1991
Éditeur: IEEE
Nombre de pages: 10
Identifiants: 99162637109311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article