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Etude de l'effet de la température de dépôt ou de recuit sur la formation de l'interface Au/GaSb(100) par diffraction d'électrons lents et spectroscopies d'électrons Auger ou de pertes d'énergies
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Etude de l'effet de la température de dépôt ou de recuit sur la formation de l'interface Au/GaSb(100) par diffraction d'électrons lents et spectroscopies d'électrons Auger ou de pertes d'énergies

M. Rouanet, W. Oueini, M. Nouaoura, N. Bertru, J. Bonnet and L. Lassabatère
Journal de Physique III, Vol.5(5), pp.483-493
1995

Abstract

GASB(001) SURFACES GALLIUM ANTIMONIDE SCHOTTKY-BARRIER GASB V-COMPOUND SEMICONDUCTORS OHMIC CONTACTS GROWTH ROOM GAAS
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