Abstract
Les solutions solides ternaires Ga1-xAl xSb, Ga1-xInxSb et GaAsySb1-y ont été élaborées par épitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organométalliques (EPVOM), sur substrats de GaSb. On décrit l'évolution de la morphologie des couches avec le désaccord de paramètre de maille par rapport au substrat. Dans Ga 1-xAlxSb et Ga1- xInxSb (x ≤ 0,50), la relation entre la composition x du solide et la composition correspondante x v de la phase vapeur pour différentes températures de croissance est étudiée expérimentalement. Une tentative d'explication de la variation importante de x avec la température est effectuée en s'appuyant sur un modèle thermodynamique simple. Dans le cas de GaAsySb1-y, l'influence du rapport As/Sb et du rapport As + Sb/Ga dans la phase vapeur sur la composition y du solide est également présentée. Les résultats confirment la formation, par EPVOM, de la solution solide GaAsSb dans le domaine métastable.