- Title
- Electrical modeling of InSb PiN photodiode for avalanche operation
- Creators - without role
- J. Abautret - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-P. Perez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESA. Evirgen - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESPhilippe Christol - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Fleury - SAGEM Défense Sécurité [Massy]H. Sik - SAGEM Défense Sécurité [Massy]R. Cluzel - SofradirA. Ferron - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesJ. Rothman - CEA LETI
- Publication Details
- Journal of Applied Physics, Vol.113(18)
- Identifiers
- 9946674009311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01621249
Journal article
Electrical modeling of InSb PiN photodiode for avalanche operation
Journal of Applied Physics, Vol.113(18)
14/05/2013
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