Elaboration and characterization of InAsSb grown on GaSb and GaAs substrates

Journal article

Peer reviewed

Alain Giani, J. Podlecki, F. Pascal-Delannoy, G. Bougnot, L. Gouskov and C. Catinaud

Journal of Crystal Growth, Vol.148(1-2), pp.25 - 30

02/1995

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Title: Elaboration and characterization of InAsSb grown on GaSb and GaAs substrates
Creators - without role: Alain Giani - Institut d'Électronique et des Systèmes
J. Podlecki - Université de Montpellier
F. Pascal-Delannoy - Université de Montpellier
G. Bougnot - Institut d'Électronique et des Systèmes
L. Gouskov - Institut d'Électronique et des Systèmes
C. Catinaud - Institut d'Électronique et des Systèmes
Publication Details: Journal of Crystal Growth, Vol.148(1-2), pp.25 - 30
Identifiers: 9944281009311
Academic Unit: Université de Montpellier
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-01737656