Effect of electric bias on trapping and release of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells

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R. Aristegui, F. Chiaruttini, B. Jouault, P. Lefebvre, C. Brimont, T. Guillet, M. Vladimirova, S. Chenot, Y. Cordier and B. Damilano

Physical Review B, Vol.106(3)

07/2022

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Title: Effect of electric bias on trapping and release of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells
Creators - without role: R. Aristegui - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
F. Chiaruttini - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
B. Jouault - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
P. Lefebvre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
C. Brimont - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
T. Guillet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
M. Vladimirova - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
S. Chenot - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
Y. Cordier - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
B. Damilano - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
Publication Details: Physical Review B, Vol.106(3)
Identifiers: 9940161309311
Academic Unit: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Language: English
Resource Type: Journal article
Local Fields: hal-03759667