- Titre
- Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability
- Créateurs - sans rôle
- M. Naceur - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJean-Roch Vaillé - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESEric Lorfèvre - Centre National d'Études SpatialesF. Bezerra - Centre National d'Études SpatialesG. Chaumont - STMicroelectronicsFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Détails de publication
- IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.59(4), pp.786 - 791
- Identifiants
- 99150632109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
- Champs locaux
- hal-01633505
Article de revue
Effect of Ion Energy on Power MOSFET's Oxide Reliability
IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.59(4), pp.786 - 791
08/2012
Indicateurs
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