- Titre
- Effect of Boron Neutralization on Interface State after Direct Tunneling Injections at 100°C in 2,3nm Ultrathin Gate Oxide
- Créateurs - sans rôle
- D. ZanderJ. Boch - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804Frédéric Saigné - Centre de Recherche en Sciences et Technologies de l'Information et de la Communication - EA 3804A. MeinertzhagenO. Simonetti
- Détails de publication
- Applied physics letters, Vol.83, pp.926-927
- Éditeur
- American Institute of Physics
- Identifiants
- 99139378809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
Article de revue
Effect of Boron Neutralization on Interface State after Direct Tunneling Injections at 100°C in 2,3nm Ultrathin Gate Oxide
Applied physics letters, Vol.83, pp.926-927
2003
Indicateurs
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