Abstract
Dans le but de caractériser des couches d'antimoniures épitaxiées ou implantées mal isolées d'un substrat conducteur, nous avons été amenés à utiliser une méthode simple de détermination de la résistance de couche. Cette méthode est décrite ainsi que sa limite de validité en supposant une conduction ohmique ou régie par la génération-recombinaison entre la couche et le substrat.