Abstract
Des dépôts de Ge dopés As sont obtenus par transport en phase vapeur par la réaction de disproportionnation : 2 GeI2 = Ge + GeI4. Ils sont de type n et leurs caractéristiques électriques : p, μH, n sont étudiés en fonction de la température de substrat et du débit de AsH3. L'incorporation de As dans la couche est étudiée thermodynamiquement.