Donor binding energies in group III-nitride-based quantum wells : influence of internal electric fields

Article de revue

Avec comité de lecture

A Morel, P Lefebvre, T Taliercio, M Gallart, B Gil et H Mathieu

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.82(1-3), pp.221-223

22/05/2001

Résumé

Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties

Electron states and collective excitations in thin films, multilayers, quantum wells, mesoscopic and nanoscale systems

Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures

Exact sciences and technology

Impurity and defect levels; energy states of adsorbed species

Physics

Quantum wells

Surface and interface electron states

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Titre: Donor binding energies in group III-nitride-based quantum wells : influence of internal electric fields
Créateurs - sans rôle: A Morel - Centre National de la Recherche Scientifique
P Lefebvre - Université de Montpellier
T Taliercio - Centre National de la Recherche Scientifique
M Gallart - Centre National de la Recherche Scientifique
B Gil - Université de Montpellier
H Mathieu - Centre National de la Recherche Scientifique
Détails de publication: Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, Vol.82(1-3), pp.221-223
Éditeur: Elsevier
Nombre de pages: 3
Identifiants: 99116727609311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C; Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article