Design of high frequency GaPO4 BAW resonators by chemical etching

Article de revue

Avec comité de lecture

N. Prud'Homme, V. Flaud, Philippe Papet, Olivier Cambon, Julien Zaccaro et Alain Ibanez

Sensors and Actuators B: Chemical, (131), pp.270-278

2008

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Titre: Design of high frequency GaPO4 BAW resonators by chemical etching
Créateurs - sans rôle: N. Prud'Homme - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
V. Flaud - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Philippe Papet - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Olivier Cambon - Université de Montpellier, Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Julien Zaccaro - Centre National de la Recherche Scientifique
Alain Ibanez - Centre National de la Recherche Scientifique
Détails de publication: Sensors and Actuators B: Chemical, (131), pp.270-278
Identifiants: 99150192909311
Unité académique: Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-00271313