Résumé
The IES-Nanomir group works on new mid-infrared photonic systems conception and fabrication. The MIR, i.e. the wavelength range between 2 and 5 mu m, witch is well adapted to very sensitive gas spectroscopy systems. Semi-conductor lasers are made in four steps. First, calculations show theoretical performances. Then, the structure is made by molecular beam epitaxy. This technique allows to control thicknesses deposition as thin as micrometers or even nanometers. Third, the wafer is processed in order to obtain actual laser devices. Finally, characterizations give feedback to calculation.Original Abstract: Le groupe << Nanomir >> de l'IES (Institut d'Electronique du Sud) travaille sur la conception et la fabrication de nouveaux systemes photoniques moyen infrarouge (MIR). Le MIR comprend la gamme de longueurs d'onde allant de 2 a 5 mu m, qui permet de realiser des emetteurs laser tres bien adaptes a la detection de polluants gazeux par spectroscopie. La conception d'un laser comprend quatre etapes. Premierement, la simulation du composant a fabriquer permettra de se faire une idee des resultats esperes. Ensuite, la structure est realisee par epitaxie par jets moleculaires. Cette technologie permet de controler avec precision des croissances allant de la monocouche atomique ( similar to 0,1 nm) jusqu'aux micrometres. Troisiemement, plusieurs etapes technologiques permettent, a partir de la plaquette epitaxiee, de mettre en forme ce laser. Enfin, des etudes du composant indiquent les parametres a modifier, qui sont reinjectes dans de nouvelles modelisations afin de repartir pour un nouveau cycle.