Crystal growth of GaPO4, a very promising material for manufacturing BAW devices

Article de revue

Olivier Cambon, Pascal Yot, Denis Balitsky, Aline Goiffon, Etienne Philippot, Bernard Capelle et Jacques Detaint

Annales de chimie (Paris. 1914), Vol.26(1), pp.79-84

01/01/2001

Résumé

Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties

Cross-disciplinary physics: materials science; rheology

Dielectric, piezoelectric, ferroelectric and antiferroelectric materials

Dielectrics, piezoelectrics, and ferroelectrics and their properties

Exact sciences and technology

Growth from solutions

Materials science

Methods of crystal growth; physics of crystal growth

Niobates, titanates, tantalates, pzt ceramics, etc

Physics

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Titre: Crystal growth of GaPO4, a very promising material for manufacturing BAW devices
Créateurs - sans rôle: Olivier Cambon - Université de Montpellier
Pascal Yot - Université de Montpellier
Denis Balitsky - Université de Montpellier
Aline Goiffon - LPMC, Université de Montpellier II, Place E.Bataillon, cc 003, 34095 Montpellier, France
Etienne Philippot - LPMC, Université de Montpellier II, Place E.Bataillon, cc 003, 34095 Montpellier, France
Bernard Capelle - LMCP, case 115, 4 Place Jussieu, 75252 Paris, France
Jacques Detaint - Université Paris-Sud
Détails de publication: Annales de chimie (Paris. 1914), Vol.26(1), pp.79-84
Éditeur: Lavoisier
Nombre de pages: 6
Identifiants: 99139107409311
Unité académique: Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Langue: English
Type de ressource: Journal article