- Title
- Contribution of Latent Defects Induced by High-Energy Heavy Ion Irradiation on the Gate Oxide Breakdown
- Creators - without role
- Mathias Marinoni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAminata M. J. F. Carvalho - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESDamien Zander - URCA - UFR Sciences exactes et naturellesChristian Petit - URCA - UFR Sciences exactes et naturellesCecile Weulersse - EADS Innovation WorksFlorent Miller - EADS Innovation WorksThierry Carreire - Defence & SecurityEric Lorfèvre - Centre National d'Études Spatiales
- Publication Details
- IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.56(4), pp.2213 - 2217
- Identifiers
- 9943855509311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01631574
Journal article
Contribution of Latent Defects Induced by High-Energy Heavy Ion Irradiation on the Gate Oxide Breakdown
IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.56(4), pp.2213 - 2217
08/2009
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