Conductive atomic force microscopy as a tool to reveal high ionising dose effects on ultra thin SiO2/Si structures

Article de revue

Open Access

Avec comité de lecture

Richard Arinero, Antoine Touboul, M. Ramonda, C. Guasch, Y. Gonzalez-Velo, J. Boch et F. Saigné

Applied Nanoscience, Vol.3(3), pp.235 - 240

06/2013

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https://doi.org/10.1007/s13204-012-0126-4Afficher

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Titre: Conductive atomic force microscopy as a tool to reveal high ionising dose effects on ultra thin SiO2/Si structures
Créateurs - sans rôle: Richard Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Antoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
M. Ramonda - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
C. Guasch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Y. Gonzalez-Velo - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
J. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
F. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Détails de publication: Applied Nanoscience, Vol.3(3), pp.235 - 240
Identifiants: 99150512509311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article
Champs locaux: hal-01633528