- Title
- Characterization of impact of process options in Germanium-On-Insulator (GeOI) high-k & metal gate pMOSFETs by low-frequency noise
- Creators - without role
- M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESS. Soliverès - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - CEA GrenobleE. Augendre - CEA LETIL. Clavelier - CEA LETI
- Publication Details
- Solid-State Electronics, Vol.59(1), pp.34 - 38
- Identifiers
- 9943935609311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-01653011
Journal article
Characterization of impact of process options in Germanium-On-Insulator (GeOI) high-k & metal gate pMOSFETs by low-frequency noise
Solid-State Electronics, Vol.59(1), pp.34 - 38
05/2011
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