Characterization of bulk 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method

Article de revue

L. Latu-Romain, D. Chaussende, C. Balloud, S. Juillaguet, L. Rapenne, E. Pernot, J. Camassel, M. Pons et R. Madar

Silicon carbide and related materials, pp.527-529 / 99-102

2006

Indicateurs

1 Consultations de la notice

Titre: Characterization of bulk 3C-SiC single crystals grown on 4H-SiC by the CF-PVT method
Créateurs - sans rôle: L. Latu-Romain - Laboratoire des matériaux et du génie physique
D. Chaussende
C. Balloud
S. Juillaguet
L. Rapenne
E. Pernot
J. Camassel
M. Pons
R. Madar
Détails de publication: Silicon carbide and related materials, pp.527-529 / 99-102
Identifiants: 99147564709311
Unité académique: Laboratoire Charles Coulomb - L2C
Langue: English
Type de ressource: Journal article