- Titre
- Characterisation of 4H-SiC PiN Diodes by Micro-Raman Scattering and Photoemission
- Créateurs - sans rôle
- Aurélie Thuaire - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueMichel Mermoux - Laboratoire d’Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des InterfacesAlexandre Crisci - Laboratoire d’Electrochimie et de Physico-chimie des Matériaux et des InterfacesNicolas Camara - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueEdwige Bano - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et PhotoniqueFrancis Baillet - Laboratoire de thermodynamique et physico-chimie métallurgiquesEtienne Pernot - Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique
- Détails de publication
- Materials science forum, Vol.483?485, pp.437-440
- Éditeur
- Trans Tech Publications Inc
- Identifiants
- 99162638309311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Journal article
Article de revue
Characterisation of 4H-SiC PiN Diodes by Micro-Raman Scattering and Photoemission
Materials science forum, Vol.483?485, pp.437-440
2005
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