Abstract
L'objet de ce travail est la caractérisation des photodétecteurs P.I.N. à Hg1-xCdxTe par des mesures de bruit. Ces photodétecteurs sont réalisés pour fonctionner à la longueur d'onde λ = 1,3 μm pour les télécommunications par fibres optiques. On montrera pour deux générations de composants de technologie de contact différente que le bruit en 1/ f à faible polarisation inverse à l'obscurité est dû au courant G.R. de la diode. Les valeurs de la constante empirique « α » de Hooge déterminées à partir des mesures de bruit sont comprises entre 10-4 et 10 -3, ce qui montre que les dispositifs sont homogènes et qu'il n'y a pas de différence marquée entre les 2 technologies. Par contre, l'analyse du bruit du photocourant et la détermination de la fréquence de coupure fc entre le bruit de Grenaille et le bruit en 1/f montrent que la qualité des contacts des photodiodes de 2e génération est meilleure que celle obtenue sur les diodes de 1re génération.