Abstract
La cellule solaire du type hétérojonction silicium (type n)-In2O 3 (dopé Sn) est étudiée. Cette structure est préparée par une méthode de vaporisation simple et rapide. Les rendements de conversion obtenus sous éclairement solaire simulé AM1 sont voisins de η = 10 %. Les caractéristiques courant-tension et capacité-tension sont reportées en fonction de la température entre T = 77 K et T = 300 K. L'ensemble des résultats est cohérent avec un modèle de jonction abrupte en présence d'une fine couche interfaciale isolante.