Abstract
Pour interpréter les variations du travail de sortie des semiconducteurs avec la température on est conduit, à partir des différents modèles plausibles de distribution des états électroniques de surface à rechercher les variations de la barrière induite par ces états lorsque la température varie. Dans cet article, nous étudions de façon systématique les variations de la barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température, dans le cas d'une distribution d'états complexes (deux états accepteurs discrets, un accepteur et un donneur discrets, un continuum uniforme, une distribution gaussienne). Nous montrons quel est alors le comportement de la surface, quelles caractéristiques peuvent être déterminées, et discutons de la façon de mettre en évidence l'existence de ces distributions.