Annealing under vacuum and Se flux of CaF2 molecular beam epitaxy surfaces prior to PbSe/CaF2/Si growth

Article de revue

Avec comité de lecture

G Breton, M Nouaoura, C Gautier, M Cambon, S Charar, M Averous et V Ribes

Surface science, Vol.406(1-3), pp.63-68

31/05/1998

Résumé

Cross-disciplinary physics: materials science; rheology

Exact sciences and technology

Materials science

Methods of deposition of films and coatings; film growth and epitaxy

Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy

Physics

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Titre: Annealing under vacuum and Se flux of CaF2 molecular beam epitaxy surfaces prior to PbSe/CaF2/Si growth
Créateurs - sans rôle: G Breton - GES, URA 357, Université de Montpellier II, Pl. Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
M Nouaoura - Université de Montpellier
C Gautier - GES, URA 357, Université de Montpellier II, Pl. Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
M Cambon - GES, URA 357, Université de Montpellier II, Pl. Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
S Charar - Université de Montpellier
M Averous - Université de Montpellier
V Ribes - GES, URA 357, Université de Montpellier II, Pl. Eugène Bataillon, 34095 Montpellier, France
Détails de publication: Surface science, Vol.406(1-3), pp.63-68
Éditeur: Elsevier Science
Nombre de pages: 6
Identifiants: 99158436909311
Unité académique: Institut Charles Gerhardt Montpellier - ICGM
Langue: English
Type de ressource: Journal article