Alkoxysilane Layers Compatible with Copper Deposition for Advanced Semiconductor Device Applications

Article de revue

Avec comité de lecture

Diane Rebiscoul, Vincent Perrut, Thierry Morel, Céline Jayet, Robert Cubitt et Paul-Henri Haumesser

Langmuir, Vol.26(11), pp.8981-8987

01/06/2010

PMID: 20187647

Résumé

Chemistry

Colloidal state and disperse state

Exact sciences and technology

General and physical chemistry

Porous materials

Surface physical chemistry

1 Consultations de la notice

Titre: Alkoxysilane Layers Compatible with Copper Deposition for Advanced Semiconductor Device Applications
Créateurs - sans rôle: Diane Rebiscoul - Laboratoire d'Électronique des Technologies de l'Information
Vincent Perrut - CEA, LETI, MINATEC, 38054 Grenoble, France
Thierry Morel - CEA, LETI, MINATEC, 38054 Grenoble, France
Céline Jayet - CEA, LETI, MINATEC, 38054 Grenoble, France
Robert Cubitt - Institut Laue-Langevin, Large Scale Structure, 6 rue Jules Horowitz, BP 156, 38042 Grenoble, France
Paul-Henri Haumesser - CEA, LETI, MINATEC, 38054 Grenoble, France
Détails de publication: Langmuir, Vol.26(11), pp.8981-8987
Éditeur: American Chemical Society
Nombre de pages: 7
Identifiants: 99139035109311
Unité académique: Institut de Chimie Séparative de Marcoule - ICSM
Langue: English
Type de ressource: Journal article