- Title
- A comparative 1/f noise study of GeOI wafers obtained by the Ge enrichment technique and the Smart Cut technology
- Creators - without role
- M. Valenza - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. El Husseini - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Gyani - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Martinez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Bawedin - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Le Royer - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesE. Augendre - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesJ. Damlencourt - Institut polytechnique de Grenoble
- Publication Details
- Microelectronic Engineering, Vol.88(7), pp.1298-1300
- Identifiers
- 9944471309311
- Academic Unit
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Language
- English
- Resource Type
- Journal article
- Local Fields
- hal-02064898
Journal article
A comparative 1/f noise study of GeOI wafers obtained by the Ge enrichment technique and the Smart Cut technology
Microelectronic Engineering, Vol.88(7), pp.1298-1300
07/2011
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