4H-SiC pn diodes grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum (SEV) and their application as microwave diodes

Article de revue

Nicolas Camara, A. Lebedev, V. Zelevin, P. Abramov, A. Kirillov, L. Romanov, N. Boltovets, V. Krivutsa, Aurélie Thuaire, Edwige Bano, …

Semicond. Sci. Technol, Vol.23(2, 025016/1-9)

01/02/2008

Résumé

Engineering Sciences

Micro and nanotechnologies

Microelectronics

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Titre: 4H-SiC pn diodes grown by Sublimation Epitaxy in Vacuum (SEV) and their application as microwave diodes
Créateurs - sans rôle: Nicolas Camara
A. Lebedev
V. Zelevin
P. Abramov
A. Kirillov
L. Romanov
N. Boltovets
V. Krivutsa
Aurélie Thuaire
Edwige Bano - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
E. Tsoi
Détails de publication: Semicond. Sci. Technol, Vol.23(2, 025016/1-9)
Identifiants: 99162026609311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Journal article