We present a terahertz intensity modulator optically controlled at 1550 nm and integrated within a standard hollow-core rectangular waveguide operating in the 0.75–1.1 THz frequency range (WR1.0 standard). The relevant figures of merit for the component are presented; including insertion losses below 5 dB, average modulation depth of 70%, and a modulation bandwidth of 15 MHz. An analytical model relating the photogenerated carrier lifetime to the modulator bandwidth is presented.
- 1550-Nm-Pumped InAs-Based Terahertz Modulator Integrated in a WR1.0 Waveguide
- Julien Guise - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesHajasoa Ratovo - Hamamatsu Photonics K.K.Fernando Gonzalez-Posada Flores - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesPierre Fehlen - Centre National de la Recherche ScientifiqueMonique Thual - Centre National de la Recherche ScientifiqueJean-Claude Simon - Centre National de la Recherche ScientifiqueJeffrey Hesler - Virginia Diodes (United States)Theodore Reck - Virginia Diodes (United States)Laurent Cerutti - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesJean-Baptiste Rodriguez - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesPhilippe Nouvel - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesAnnick Pénarier - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesEmmanuel Centeno - Centre National de la Recherche ScientifiqueThierry Taliercio - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des SystèmesStéphane Blin - Université de Montpellier, IES - Institut d'Electronique et des Systèmes
- IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Vol.16(4), pp.406-416
- European Regional Development FundANR Equipex-EXTRA (Grant Number: ANR-11-EQPX-0016)ANRSPATIOTERA (Grant Number: ANR-19-CE24-0012)ANR NanoElastir (ASTRID)- ANR HYBAT (Grant Number: ANR-21-ESRE-0026)MUSE STAE (Grant Number: ANR-16-IDEX-0006-MUSE)
- 99236028109311
- IES - Institut d'Electronique et des Systèmes
- English
- Journal article
- hal-05610403