Résumé
La photonique silicium (Si) est apparue comme l'une des technologies les plus prometteuses pour réaliser des puces photoniques ultra-denses, grâce à la maturité de l'industrie du Si, à la grande taille des wafers et aux propriétés optiques du Si et des matériaux connexes. L'un des principaux défis qui restent à relever est l'intégration de sources lasers à haute performance sur Si. En particulier, les lasers à semi-conducteurs III-V sont très efficaces et leur intégration monolithique sur Si, c'est-à-dire l'intégration directe par épitaxie, est considérée comme la voie la plus prometteuse vers la fabrication de puces photoniques Si à faible coût et à grande échelle. Parmi les diverses applications de la photonique Si, la détection optique dans le moyen infrarouge est très demandée pour des applications sociétales, environnementales ou médicales, entre autres. Les lasers à base de GaSb sont apparus comme une technologie capable de couvrir la gamme du moyen infrarouge. L'objectif de ma thèse est l'intégration diode lasers à base de GaSb sur des circuits photoniques intégrés Si (PIC). A cette fin, j'ai d'abord étudié la dégradation de la performance du laser causée par des dislocations provenant de la croissance épitaxiale III-V-sur-Si. Ensuite, j'ai démontré la fabrication de ces lasers sur un PIC Si avec des performances similaires à celles des lasers discrets sur Si. En outre, le couplage de lumière entre les lasers et des guides d'ondes à base de SiN a été démontré. Enfin, j'ai étudié des nouvelles approches pour augmenter l'efficacité du couplage. J'ai développé le process de fabrication d'une nouvelle approche prometteuse qui ouvre la voie à d'autres recherches visant à atteindre des efficacités de couplage élevées. Dans l'ensemble, ces résultats représentent une étape importante vers l'intégration monolithique de lasers sur des PICs Si pour des capteurs dans le moyen infrarouge compacts et économiques.