Résumé
Les matériaux III-Sb ont prouvé leur potentiel pour la réalisation de composants opto-électroniques dans des domaines aussi variés que les télécommunications ou l'environnement. Cependant, ils restent une filière quasi-inexplorée pour les systèmes photovoltaïques classiques. Dans ce projet de recherche, nous voulons démontrer que les composants à base d'antimoniures sont des candidats prometteurs pour des cellules solaires à haute efficacité et bas coût. Leurs avantages sont multiples : non seulement offrent-ils un large panel d'alliages accordés en maille et des jonctions tunnel à basse résistivité, mais ils permettent aussi une croissance directe sur substrat de Si. Nous étudions donc les briques élémentaires d'une cellule solaire multi-jonction intégrée sur Si. Tout d'abord, nous développons la croissance et fabrication de cellules homo-épitaxiales en GaSb. Les caractéristiques tension-intensité (J-V) mesurées sont proches de l'état de l'art avec une efficacité sous un soleil de 5.9 %. Puis, nous intégrons une cellule à simple jonction GaSb sur un substrat de Si par épitaxie par jet moléculaire (EJM). Les analyses de diffraction X (DRX) et de microscopie à force atomique (AFM) montrent des propriétés de structure et morphologie proches de celles reportées pour des buffers métamorphiques similaires dans la littérature. Nous adaptons alors la configuration de la cellule pour éviter la haute densité de défauts à l'interface GaSb/Si. La cellule hétéro-épitaxiale a une efficacité réduite de 0.6 %. Ce résultat est néanmoins proche des dernières avancées sur les cellules GaSb sur GaAs, et ce, malgré un désaccord de maille plus important. Enfin, nous étudions l'épitaxie d'AlInAsSb. Cet alliage pourrait en théorie atteindre une grande gamme d'énergies de bande interdite tout en restant accordé sur GaSb. Néanmoins, il souffre d'une lacune de miscibilité importante, le rendant sujet à la ségrégation de phase. Il n'y a que peu de mentions de l'AlInAsSb dans la littérature, et toutes rapportent des conditions de croissance instables et des énergies de bande interdite plus basses qu'attendues. Nous réussissons à produire des couches de bonne qualité d'AlInAsSb dont la composition en Al varie de 0.25 à 0.75 et ne présentant aucun signe macroscopique de décomposition de phase. Toutefois, l'observation au microscope à transmission électronique (TEM) révèle des fluctuations de composition nanométriques. Les données de photoluminescence (PL) sont étudiées pour déterminer les propriétés électroniques de l'alliage. Les mesures d'efficacité quantique (QE) montrent que la sous-cellule du haut limite la performance de la cellule tandem. Des modélisations numériques des courbes J-V et QE sont utilisées pour identifier des pistes d'amélioration pour chaque brique élémentaire.