Résumé
Cette thèse présente une étude expérimentale des propriétés électroniques du graphène encapsulé par du nitrure de bore hexagonal (h-BN), utilisant des mesures de transport et des techniques de magnéto-photoconductivité.La résistivité dépendante de la température dans le graphène monocouche et bicouche encapsulé par h-BN a été étudiée en fonction de la tension de grille pour un dopage élevé (entre -4 x 10^12 cm^-2 et 5 x 10^12 cm^-2). Nous avons étudié en détail l'influence de la diffusion des électrons par les phonons. Nous avons trouvé des comportements distincts de diffusion par phonons acoustiques dans le graphène monocouche et bicouche. À basse température (inférieure à 100 K), la diffusion est dominée par les phonons acoustiques, avec un paramètre de diffusion indépendant du dopage alpha d'environ 0.05 Ω/K dans la monocouche. Ensuite, pour des températures supérieures à 150K, la diffusion par phonons optiques commence à dominer la dépendance en température de la résistivité à toutes les densités de porteurs dans les deux systèmes. Tous ces résultats sont soutenus par un modèle théorique. Les petites différences entre la théorie et l'expérience sont discutées.Des mesures de magnéto-photoconductivité térahertz dans le graphène monocouche encapsulé par MoS2 et h-BN ont été effectuées à basse température (1.7 K). Cette analyse se concentre sur la Résonance de Spin Électronique Détectée par Phototension (PDESR). Jusqu'à 4 résonances ont été observées. Nous avons d'abord étudié en détail leur dépendance en fréquence, ce qui a donné un facteur g de 1.98. De plus, nous avons déterminé la séparation à champ nul dans le graphène, avec le gap spin-orbite intrinsèque (ISO) ΔI ∼ 45 μeV et la séparation de sous-réseau Δγ ∼ 18 μeV. Nous avons ensuite étudié l'origine de ce PDESR. Nous avons observé une diminution de l'amplitude du signal à l'approche de la condition de résonance de spin électronique (ESR). L'origine du signal PDESR est interprétée comme une diminution de la polarisation de spin du système due à la recombinaison dépendante du spin des photoporteurs, soutenue par la dépendance du signal en fonction de la puissance et du courant injecté.