- Titre
- p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum
- Créateurs - sans rôle
- Marc Zielinski - Savoie TechnolacRoxana ArvinteThierry Chassagne - NOVASiC (France)Adrien Michon - Centre National de la Recherche ScientifiqueMarc Portail - Centre National de la Recherche ScientifiquePawel Kwasnicki - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CLeszek Konczewicz - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSylvie Contreras - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CSandrine Juillaguet - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CHervé Peyre - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Détails de publication
- ICSCRM, Vol.858, pp.137 - 142
- Colloque
- ICSCRM (Giardini Naxos, France, 02/10/2015)
- Identifiants
- 9936803809311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01936467
Acte de colloque
p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum
ICSCRM, Vol.858, pp.137 - 142
ICSCRM (Giardini Naxos, France, 02/10/2015)
05/2016
Indicateurs
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