- Titre
- X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study of Strain in Graphene Films Grown on 6H-SiC(0001) Using Propane-Hydrogen-Argon CVD
- Créateurs - sans rôle
- Adrien Michon - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsLudovic Largeau - Laboratoire Photonique, Numérique et NanosciencesAntoine Tiberj - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2CJean Roch Huntzinger - Université de Montpellier, Laboratoire Charles Coulomb - L2COlivia Mauguin - Laboratoire Photonique, Numérique et NanosciencesStephane Vézian - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsDenis Lefebvre - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses ApplicationsFabien Cheynis - Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de MarseilleFrédéric Leroy - Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de MarseillePierre Muller - Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de MarseilleThierry Chassagne - NOVASiC (France)Marc Zielinski - Savoie TechnolacMarc Portail - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications
- Détails de publication
- Silicon Carbide and Related Materials 2012, Vol.740-742, pp.117 - 120
- Colloque
- Silicon Carbide and Related Materials 2012 (Saint-Petersburg, Russia, 02/09/2012)
- Identifiants
- 9946662309311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01617115
Acte de colloque
X-Ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study of Strain in Graphene Films Grown on 6H-SiC(0001) Using Propane-Hydrogen-Argon CVD
Silicon Carbide and Related Materials 2012, Vol.740-742, pp.117 - 120
Silicon Carbide and Related Materials 2012 (Saint-Petersburg, Russia, 02/09/2012)
01/2013
Indicateurs
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