Résumé
The paper presents two alternatives SEE testing conditions on GaN power devices to investigate for the worst case that are switching and high tilt beam condition. Results obtained are discussed with the help of TCAD modeling.
- Titre
- Worst Case Heavy Ion Testing Conditions for Normally Off GaN-Based High Electron Mobility Transistor
- Créateurs - sans rôle
- Jean-Baptiste Sauveplane - Centre National d'Études SpatialesC. Chabot - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesCatherine Ngom - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Orsatelli - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesA. Guttierez-Galeano - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesE. Marcault - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies AlternativesVincent Pouget - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESMoustafa Zerarka - IRT Saint ExupéryMohamed Matmat - IRT Saint Exupéry
- Détails de publication
- Proceedings of RADECS 2023
- Colloque
- European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS) (Toulouse, France, 25/09/2023–29/09/2023)
- Identifiants
- 9946444609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-04308661