Why are SCE overestimated in FD-SOI MOSFETs?

Acte de colloque

C. Navarro, M. Bawedin, F. Andrieu, B. Sagnes et S. Cristoloveanu

Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, pp.304-307

Proceedings of the European Solid State Device Research Conference.

43rd ESSDERC (Bucarest, Romania, 16/09/2013–20/09/2013)

09/2013

Résumé

threshold voltage

Voltage measurement

Films

MOSFET

Logic gates

Couplings

Electric potential

C. Navarro, M. Bawedin, F. Andrieu, B. Sagnes, S. Cristoloveanu

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Titre: Why are SCE overestimated in FD-SOI MOSFETs?
Créateurs - sans rôle: C. Navarro - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
M. Bawedin - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
F. Andrieu - Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
B. Sagnes - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
S. Cristoloveanu - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
Contributeurs - sans rôle: European solid-state circuits conference (39 ; 2013 ; Bucharest, Romania).
Détails de publication: Proceedings of the European Solid State Device Research Conference, pp.304-307
Colloque: 43rd ESSDERC (Bucarest, Romania, 16/09/2013–20/09/2013)
Publications en série: Proceedings of the European Solid State Device Research Conference.
Identifiants: 9944546009311
Unité académique: Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-01022509