- Titre
- Very large monolayer graphene ribbons grown on SiC
- Créateurs - sans rôle
- Nicolas Camara - Centro Nacional de MicroelectrónicaG. RiusJean Roch Huntzinger - Groupe d'étude des semiconducteursAntoine Tiberj - Groupe d'étude des semiconducteursN. Mestres - Institut de Ciència de Materials de BarcelonaF. Pérez MuranoPhilippe Godignon - Centro Nacional de MicroelectrónicaJean Camassel - Groupe d'étude des semiconducteurs
- Colloque
- International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
- Identifiants
- 9936466909311
- Unité académique
- Laboratoire Charles Coulomb - L2C
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390794
Acte de colloque
Very large monolayer graphene ribbons grown on SiC
International workshop on 3C-SiC hetero-epitaxy (HeteroSiC '09) (Catane, Italy, 2009)
Indicateurs
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