- Titre
- Velocity effect on heavy ion-induced gate oxide latent defects
- Créateurs - sans rôle
- Antoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESM. Portier - Laboratoire Kastler BrosselR. Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESG. Chaumont - STMicroelectronicsFrédéric Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESFrédéric Wrobel - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESC. Guasch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Miller - EADS, Corporate Research CenterJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESR. Schrimpf - Vanderbilt UniversityE. Lorfèvre - Centre National d'Études Spatiales
- Colloque
- 47th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Denver, United States, 2010)
- Identifiants
- 9946896109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01823532
Acte de colloque
Velocity effect on heavy ion-induced gate oxide latent defects
47th IEEE Nuclear Space and Radiation Effects Conference (Denver, United States, 2010)
Indicateurs
1 Consultations de la notice