- Titre
- Tunneling atomic force microscopy for the nanoscale electrical and physical characterization of thin gate oxide films in different surrounding ambient
- Créateurs - sans rôle
- Wael Hourani - Franche-Comté Électronique Mécanique Thermique et Optique - Sciences et TechnologiesBrice Gautier - INL - Dispositifs ElectroniquesLiviu Militaru - INL - Dispositifs ElectroniquesDavid Albertini - INL - Plateforme Technologique NanolyonArmel Descamps-Mandine - Matériaux Ingénierie et ScienceAntonin Grandfond - INL - Dispositifs ElectroniquesRichard Arinero - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- International Scanning Probe Microscopy Conference (ISPM) (Munich, Germany, 19/06/2011)
- Identifiants
- 9974166109311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01811957
Acte de colloque
Tunneling atomic force microscopy for the nanoscale electrical and physical characterization of thin gate oxide films in different surrounding ambient
International Scanning Probe Microscopy Conference (ISPM) (Munich, Germany, 19/06/2011)
Indicateurs
1 Consultations de la notice