Résumé
We present experimental results on the Terahertz radiation from high electron mobility transistors at room temperature, which clearly show the tunability of the emission frequency by the gate voltage.
- Titre
- Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
- Créateurs - sans rôle
- Nina Diakonova - Groupe d'étude des semiconducteursA. El FatimyY. MezianiT. OtsujiDominique Coquillat - Groupe d'étude des semiconducteursWojciech Knap - Groupe d'étude des semiconducteursFrederic Teppe - Groupe d'étude des semiconducteursS. Vandenbrouk - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieK. Madjour - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieDidier Theron - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieChristophe Gaquière - Institut d'électronique de microélectronique et de nanotechnologieM. A. PoissonS. Delage
- Détails de publication
- 35TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES (IRMMW-THZ 2010)
- Colloque
- 35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (Rome, Italy, 05/09/2010)
- Identifiants
- 9939738109311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00636136