Trends in dopant incorporation for 3C-SiC thin films on silicon. Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Acte de colloque

M. Zielinski, M. Portail, H. Peyre, T. Chassagne, S. Ndiaye, Bernard Boyer, A. Leycuras et J. Camassel

ECSCRM, Vol.556-556, pp.207-210

ECSCRM (Newcastle, France, 2007)

2007

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Titre: Trends in dopant incorporation for 3C-SiC thin films on silicon. Proceedings of the 6th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Créateurs - sans rôle: M. Zielinski
M. Portail
H. Peyre
T. Chassagne
S. Ndiaye
Bernard Boyer - Université de Montpellier, Géosciences Montpellier - GM
A. Leycuras
J. Camassel
Détails de publication: ECSCRM, Vol.556-556, pp.207-210
Colloque: ECSCRM (Newcastle, France, 2007)
Identifiants: 9940244209311
Unité académique: Géosciences Montpellier - GM
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00412604