- Titre
- Transmission Electron Microscopy of Ga(Sb,Bi) Epilayers and Quantum Wells for Optoelectronic Applications
- Créateurs - sans rôle
- E. Luna - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikA. Trampert - Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikO. Delorme - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESL. Cerutti - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESE. Tournié - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ.-B. Rodriguez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors (Marburg, Germany, 2017)
- Identifiants
- 9943117209311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01905702
Acte de colloque
Transmission Electron Microscopy of Ga(Sb,Bi) Epilayers and Quantum Wells for Optoelectronic Applications
8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors (Marburg, Germany, 2017)
Indicateurs
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