- Titre
- Transient Device Simulation of Neutron-Induced Single Event Burnout in IGBT : Analysis of the Temperature Influence
- Créateurs - sans rôle
- K. Guetarni - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF) (Arcachon, France, 2013)
- Identifiants
- 9944331609311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01935696
Acte de colloque
Transient Device Simulation of Neutron-Induced Single Event Burnout in IGBT : Analysis of the Temperature Influence
European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF) (Arcachon, France, 2013)
Indicateurs
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