- Titre
- Towards an analysis of the internal field in MOS structures for microelectronics. Correlation between space charge measurements and capacitance-voltage measurements
- Créateurs - sans rôle
- Petru Notingher - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierSerge Agnel - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierA. Toureille - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de MontpellierB. RoussetJ.-L. Sanchez - Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier
- Colloque
- 3ème Conférence de la Société Française d'Electrostatique SFE (Toulouse, France, 2002)
- Identifiants
- 9947531409311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-01883422
Acte de colloque
Towards an analysis of the internal field in MOS structures for microelectronics. Correlation between space charge measurements and capacitance-voltage measurements
3ème Conférence de la Société Française d'Electrostatique SFE (Toulouse, France, 2002)
Indicateurs
1 Consultations de la notice