- Titre
- Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si.
- Créateurs - sans rôle
- P. Corfdir - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesJ. Ristic - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesPierre Lefebvre - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesE. Calleja - Departamento de Ingeniería Electrónica and ISOMJean-Daniel Ganière - Institut de Photonique et d'Electronique QuantiquesBenoit Deveaud-Plédran - Institut de Photonique et d'Electronique Quantiques
- Colloque
- International Workshop on Nitride Semiconductors – IWN08 (Montreux, Switzerland, 06/10/2008)
- Identifiants
- 9945319009311
- Unité académique
- Université de Montpellier
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-00390010
Acte de colloque
Time-resolved photoluminescence of GaN nanocolumns grown by molecular beam epitaxy on Si.
International Workshop on Nitride Semiconductors – IWN08 (Montreux, Switzerland, 06/10/2008)
Indicateurs
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