- Titre
- Thermal Runaway in SiC Schottky Barrier Diodes Caused by Heavy Ions
- Créateurs - sans rôle
- S. KuboyamaE. MizutaY. NakataH. ShindouA. Michez - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESJ. Boch - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESF. Saigné - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IESAntoine Touboul - Université de Montpellier, Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Colloque
- IEEE RADECS 2018 (Goteborg, Sweden, 16/09/2018–21/09/2018)
- Identifiants
- 9943815809311
- Unité académique
- Institut d'Electronique et des Systèmes - IES
- Langue
- English
- Type de ressource
- Conference proceeding
- Champs locaux
- hal-02440194
Acte de colloque
Thermal Runaway in SiC Schottky Barrier Diodes Caused by Heavy Ions
IEEE RADECS 2018 (Goteborg, Sweden, 16/09/2018–21/09/2018)
Indicateurs
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