Terahertz Plasma Wave Devices based on GaN high electron mobility transistors

Acte de colloque

Wojciech Knap

European Workshop on III-Nitride semiconductor Material and devices, (Heraklion, Greece, 2006)

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Titre: Terahertz Plasma Wave Devices based on GaN high electron mobility transistors
Créateurs - sans rôle: Wojciech Knap - Groupe d'étude des semiconducteurs
Colloque: European Workshop on III-Nitride semiconductor Material and devices, (Heraklion, Greece, 2006)
Identifiants: 9942581009311
Unité académique: Université de Montpellier
Langue: English
Type de ressource: Conference proceeding
Champs locaux: hal-00390543